Athena Hastomo Lulus S2 UI Dengan IPK 4,00

EduNews EduSchool

educare.co.id, Jakarta –  Athena Hastomo seorang mahasiswa UI (Universitas Indonesia) yang berhasil lulus dari S2 dengan program magister, departemen Teknik Sipil, Fakultas Teknik (FT).

Athena, wanita berusia 22 tahun ini merupakan salah satu dari 44 lulusan program pascasarjana UI yang memperoleh gelar summa cumlaude.

Selain memperoleh gelar summa cumlaude berkat keberanian dan ketekunan dirinya dalam pendidikan, Athena juga berhasil lulus dengan Indeks Prestasi Kumulatif (IPK) sempurna 4,00. Keberhasilan prestasi Athena ini juga diumumkan Pada acara wisuda UI yang diselenggarakan di Balairung UI Kampus Depok, Sabtu, (23/9/2023).

Selama menjalani pendidikan di UI, Athena sering dilatih untuk melakukan desain dan mengasah engineering sense, serta diberi dukungan untuk ikut terlibat dalam kegiatan kemahasiswaan dan program magang.

Salah satunya saat dirinya mengikuti kerja praktik di Terminal Petikemas Kalibaru, Athena membuat sebuah riset, solusi dan sumbangsih untuk  pemerintah berupa proses pembangunan tanggul pantai dan tanggul sungai di sepanjang garis pantai Jakarta dalam upaya menangani banjir di pesisir Jakarta.

Mahasiswa yang  berhasil menyelesaikan S1 dan S2 dalam kurun waktu 5 tahun dengan mengikuti program fast track ini merasa menempuh pendidikan di UI merupakan sebuah kesempatan yang sangat berharga, karena dirinya mendapat banyak kesempatan dan pengalaman untuk mengembangkan diri.

“Khususnya  untuk dosen pembimbing saya, Dr. Evi Anggraheni, yang membukakan banyak kesempatan dan melibatkan saya dalam banyak hal selama saya menempuh pendidikan di UI. Semoga ilmu yang telah saya raih dapat terus ditingkatkan dan memberikan manfaat bagi masyarakat luas,” ungkap Athena, dikutip dari iNews Pandeglang.

Menurut Athena kunci dari keberhasilan dalam pendidkan yaitu harus terus memanfaatkan peluang dengan sebaik-baiknya dan percaya bahwa ilmu bisa diraih kapan saja dan dari mana saja, termasuk dalam menentukan gagasan riset yang berdampak.

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *